Электронно-дырочный переход (p - n-переход) - это область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от электронной (n) к дырочной (p). Поскольку в р-области электронно-дырочного перехода концентрация дырок гораздо выше, чем в n-области, дырки из n -области стремятся диффундировать в электронную область. Электроны диффундируют в р-область. Показаны физические процессы, происходящие при этом.
Подробнее в hadros.info/index.php?id_dis=...