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Caraca como sempre uma aula Top. O nivel desse canal em didatica é bizarro de grande, comparado a outros. Parabeens Electrolab. 10% dos seus conhecimentos eu seria feliz demais heehe

@Electrolab-Eletronica

25 күн бұрын

Valeu Pixell!!

Top demais ! Procurei por essa explicação a muito tempo.

@Electrolab-Eletronica

2 ай бұрын

Obrigado Thiago!

parabéns pelo ensinamento com seu vídeo consegui compreender o funcionamento do mosfet melhor, e com isso fazer a aplicação correta em uma adaptação que estava precisando fazer e resolver meu problema. Deus abençoe

@Electrolab-Eletronica

3 ай бұрын

Obrigado Gabriel! Que bom que ajudou!

Tô aprendendo muito com esse canal muito profissional muito simples suas explicações e ótimas matérias obrigado e que Deus te abençoe sempre pra continuar nos ensinando

@Electrolab-Eletronica

5 ай бұрын

Muito obrigado Julinho. Seja sempre bem-vindo ao canal!

Extraordinário Mestre Eloy valiosas informações obrigado pela grande aula forte abraço

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Obrigado Paulo! Abcs!

Sou eletromecanico, boas explicacoes, parabens...

@Electrolab-Eletronica

4 ай бұрын

Obrigado Odair!

E aí meu amigo Eloi tudo bem com você ...uma aula ótima,emm parabéns pela aula,de hoje tbm ...um abração um ótimo final de semana tbm ..... é nois .....

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Olá Reinaldo, obrigado! Para você também, abcs!

Bacana sempre quis entender o funcionamento desse componente estou aprendendo pelo seu canal

@Electrolab-Eletronica

7 ай бұрын

Valeu Lima! Seja sempre bem-vindo ao canal!

Top ver um circuito que é muito usado em fontes DC-DC de forma simplificada, a eletrônica é fantástica e facinante demais.

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Obrigado Samuel!

Que bacana Eloy! Ótima explicação! Um abraço!

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Obrigado Orlando Abcs!

Fantástico, o Mosfet é mesmo incrível e o amigo sabe tudo de Mosfet. Muito obrigado.

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Obrigado Evandro!!

Excelente aula, parabéns!

@Electrolab-Eletronica

5 ай бұрын

Obrigado Odair!

Ótimo vídeo, obrigado pela aula. Há tempo eu queria entender o bootstrap e esse vídeo me esclareceu muito bem.

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Obrigado Philip!

Mais didático que isso impossível. Like!

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Obrigado!!

Sempre admiro o seu trabalho, meu amigo

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Obrigado Claudio!

Gosto muito de aulas sobre MOSFET 👍👍👍🏆🏆🏆

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Valeu TA!

Ótima aula, Eloy! Espero que aqui no Porto eu consiga encontrar um curso com esse nível de qualidade!!

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Obrigado Lourival! Com certeza há de ter bons cursos na região!

Grato ! Excelente aula, explanação! Ótima noite! Abraços!

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Obrigado Mario Sergio! Abcs!

@mariosergiogroetares9343

8 ай бұрын

@@Electrolab-Eletronica Eu que agradeço! Saudações e ótimo fim de semana!

Show de aula. Montei um circuito pwm com 555 alimentado com 12v acionado um mos fet canal n e nem me atentei para estes parâmetros e funcionou ok

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Valeu Warley! Dependendo dos níveis usados e do tipo do transistor, pode funcionar sem bootstrap.

Agora eu entendi a importância do circuito bootstrap em modulos de potência classe D na etapa do amplificador em sistemas half bridge, boa aula professor parabéns.

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Obrigado Juliano!

Esse vidro explicou os problemas wue tive em pontes H com 4 mosfets

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Valeu Lucena! Sim, é bem comum essa questão de acionamento do gate.

É chover no molhado...vídeo muito bom. Abçs.

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Obrigado Álvaro! Abcs!!

Parabéns, vídeo sensacional.

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Obrigado Thiago!

Super aula meu amigo, já deixando o like merecido de nº 280

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Obrigado Michel!

Boa noite. Excelente explicação. Uma sugestão : Vamos tentar explicitar a relação entre a frequência de chaveamento de um Mosfet canal N e o circuito RC do bootstrap ? No exemplo, o capacitor de 2,2uF e o resistor de 10K formam uma constante de tempo de 22ms. . É um tempo muito grande para um chaveamento de, por exemplo, 50KHz. Vamos tentar discutir sobre frequência de operação de um PWM e a rede do bootstrap, para usarmos um mosfet de canal N, em circuito de potência? Para tensões maiores de alimentação, não seria necessário usar 1 zener entre gate e source no mosfet, para limitar a tensão entre gate e source.? Fica a sugestão.

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Obrigado Heitor, sugestões anotadas!

Ajudou me demais!!!!

@Electrolab-Eletronica

5 ай бұрын

Obrigado!

Obg pelo vídeo, bem legal, acho que para muita gente seria mais fácil utilizar um duplicador de tensão daqueles com 2 caps e 2 diodos, fácil de utilizar com mcus e permitem a condução always-on. De quebra pode até dispensar um dos caps se a mcu fizer saída open collector no lugar de push-pull. NOTA: Esse seria o caso para "drivear" um transistor de alta corrente em 5+5v, e não um transistor de 12v em 5, o que dá margem para outro vídeo mostrando o duplicador de tensão em cascata.

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Valeu Carlos!

Eu gostei muito do circuito, e me ajudou a entender mais sobre chaveamento de mosfet, gostaria de ver um circuito com o mosfet trabalhando na região linear, como se faz por exemplo em carga ativa.

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Obrigado! Sugestão anotada!

gracias!!

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Saludos Nico!

Importantíssima essa informação, agente usa esse circuito ou usa um IR2110 e não percebe que se trata de um dobrador de tensão. Parabéns professor.

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Obrigado Antonio!

Like 1000 !

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Obrigado Daniel!

Perfeita aula. Que frequência posso usar no Pwm?

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Obrigado! Em geral frequências na casa das dezenas de KHz, algo entre 40 e 100KHz são as mais usadas.

Excelente Eloy.A explicação do circuito bootstrap foi muito boa.Pelo que entendi a topologia lowside só é usada no caso da comutação única(canal n e alta corrente).Certo?

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Obrigado Américo! Geralmente sim!

Professor, fiquei com uma dúvida. Na elevação de tensão com um inversor dc// com um driver push pull chaveado os canais n com uma frequência +/- 40 kHz seria necessário esse circuito? 24 dc no coletor e 12 no gate? Eu entendi que ele seria para canal p.

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Olá Rodrigo, depende da ligação da carga, o bootstrap só é usado quando a carga está em highside no canal N. Em lowside não precisa.

Bom dia legal a explicação;mas eu preciso falar; de um incoveniente e as letras que fica na frente da imagem;não dá pra ver o esquema

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Olá José, se são as legendas, você pode desligar, clicando em CC aí na configuração do seu KZread. Elas são sempre opcionais.

Eu vi um circuito parecido desses com 13007 e igbt pra gerar 60hz 220vac com 380vdc. Ele funciona, porém o turn on do mosfet é lento. Existe alguma maneira de aumentar a velocidade de comutação ?

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

A melhor prática é sempre escolher um MOSFET com baixa capacitância da saída (Coss), não sendo possível alterar o circuito essa é a melhor alternativa de ter uma comutação mais rápida.

E existe solução para utilizarmos um Mosfet canal N interrompendo o VCC da Carga em situações de liga/desliga (ao invés de chaveamentos rápidos)? Por exemplo: o Mosfet seria usado para funcionar como uma chave liga/desliga para alguma etapa do circuito (para alimentar uma fita LED, por exemplo).

@Electrolab-Eletronica

6 ай бұрын

Para cargas não dependentes de estarem permanentemente aterradas, o ideal é chavear o GND no canal N. Se colocar do outro lado, dependendo das tensões e do MOSFET, pode não ser possível acionar o gate, salvo com técnicas como a comentada neste vídeo.

Merci 👍👋

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Merci!

Caro amigo vc ainda tem disponível aquela PCB do miliohimetro para venda ...?... abraços

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Olá Wladymir! Não tenho, na verdade nenhuma foi colocada à venda, mas foram usadas. Obrigado.

Amigo como descubro a frequência máxima que uma mosfet trabalha exemplo irf740 coloquei 70kh e ele começou aquecer.. abaixei para 25 aí foi de boa

@Electrolab-Eletronica

3 ай бұрын

Os FETs geralmente não têm uma frequência máxima de comutação definida. O mais próximo disso são os tempos de subida e descida da comutação, que são fornecidos no datasheet. O IRF740 apresenta tempos de comutação de 10ns. Então pode se estimar que uma operação até 500KHz poderia ser viável, mas a potência usada, o tipo de carga e outros fatores podem influenciar também reduzindoesse máximo. Você deve escolher uma frequência para que as perdas gerais sejam baixas e os benefícios superem os problemas. Precisa ter em mente a carga e a corrente do gate necessárias para acioná-lo na frequência escolhida.

Amigo posso ligar o capacitor direto no GND no seu esquema ta ligado depois da carga isso interfere

@Electrolab-Eletronica

2 күн бұрын

Não pode.

Entendi a idéia do bootstrap. Más, se levarmos em consideração que esse mesmo Mosfet vai trabalhar no amplificador de RF de um radio PX, por exemplo. lá tem um bootstrap projetado para RF ou é do mesmo que você demonstrou ?

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

A aplicação é diferente, aqui a aplicação é para chaveamento, por exemplo PWM em fontes, inversores, etc. No modo amplificador o uso é diferente.

Como ficam as impedâncias capacitivas?

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Há certa influência, por isso comentei que o bootstrap não é uma solução se alta frequência de chaveamento for uma condição essencial, já que o Mosfet ficaria mais lento.

@juliobica4236

8 ай бұрын

agradeço a atenção.

Por favor, gostaria de mais uma informação sua: preciso alimentar um circuito indutivo com uma bateria de 12v 60a, qual desses dois mosfet seria o mais indicado. IRFP260 Dissipação máxima de corrente 300w Drenagem máxima de corrente 50A Tensão máxima da fonte de Drenagem 200 V. Ou IRFB3306 Dissipação máxima de corrente 230w Drenagem máxima de corrente 160A Tensão máxima da fonte de drenagem 60 V Os outros parâmetros são bem parecidos. O circuito consome 35 A de corrente . Agradeço desde já sua atenção.

@Electrolab-Eletronica

2 ай бұрын

Se o seu circuito é bem controlado e não há picos inesperados de corrente ou tensão, o IRFB3306 é a escolha ideal devido à sua maior capacidade de corrente, mesmo que tenha uma tensão de dreno-fonte mais baixa. Além disso, ele oferece uma margem de segurança em termos de capacidade de corrente. Se há a possibilidade de picos de tensão, especialmente devido à natureza indutiva do circuito, o IRFP260 seria uma escolha mais segura por sua maior tensão de dreno-fonte.

@alexvale2525

2 ай бұрын

@@Electrolab-Eletronica Essa não foi a primeira vez que pude contar com você sanando dúvidas, com essa explicação fiz a escolha do mosfet. Muitíssimo obrigado, não só pela orientação, mas, também pela atenção dispensada.

Nesse caso você está ultrapassando a tensão máxima de Gate desse MOSFET que é 20 volts não vai danificar o componente ❓

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Não por conta do resistor de gate.

Top. Qual ci posso usar para Bootstrap

@Electrolab-Eletronica

2 күн бұрын

Existem vários circuitos integrados (ICs) projetados especificamente para implementar um circuito de bootstrap, especialmente em aplicações de drivers de MOSFETs de alta e baixa tensão: IR2110: Um dos drivers de MOSFET mais comuns que suporta topologias half-bridge e full-bridge. Ele pode operar até 500V e tem capacidade de corrente de saída de até 2A. IRS2186: Um driver half-bridge com um intervalo de tensão de até 600V. É similar ao IR2110, mas com algumas diferenças em características específicas, como proteção contra curto-circuito. IR2184: Um driver half-bridge com um intervalo de tensão de até 600V e uma configuração de pulso de largura modulada (PWM). L6385E: Um driver half-bridge de alta tensão que pode operar até 600V e possui características de proteção avançadas.

@carlosflorentino7377

2 күн бұрын

@@Electrolab-Eletronica no meu caso e só para acionar apenas um Mosfet acho o ir2110 muito exagerado sete q existe outro

@Electrolab-Eletronica

Күн бұрын

Sim, o IR2110 pode ser considerado um exagero se você está apenas tentando acionar um único MOSFET. Existem alternativas mais simples e compactas para essa aplicação. Os TC4420/TC4429 são drivers de gate simples que podem acionar MOSFETs de canal N. Eles são capazes de fornecer correntes de pico altas para carregar e descarregar rapidamente a capacitância de gate dos MOSFETs. Ou o IRF5305 que é um MOSFET de canal P que pode ser acionado diretamente por níveis lógicos, o que pode simplificar o circuito em algumas aplicações.

@carlosflorentino7377

Күн бұрын

@@Electrolab-Eletronica valeu amigo

Eloy, me tira uma duvida, vc fala logo no inicio do video que o mosfet canal P é acionado por um pulso negativo, eu entendo negativo como algo abaixo do 0V é isso mesmo ou é nível baixo ?

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

É nível negativo mesmo em relação ao GND. Veja no próprio datasheet que a tensão de VGS aparece com sinal negativo, como -10V, por exemplo

@GutiBarreto

8 ай бұрын

@@Electrolab-Eletronica ah ta... beleza... valeu msm

14:54 Não entendi esse Resistor de pull-up na base do BC547. Esse circuito não está sendo controlado pelo microcontrolador (geralmente 5V)? Pois bem, o tal "sinal negativo" que foi citado é o '0V' que o microcontrolador consegue enviar, correto? Dessa forma, como você ligou o pull-up após o Resistor de base do transistor, o caminho mais atrativo para a corrente vinda desse pull-up é passar pelo emissor do transistor e chegar até o GND (é bem mais fácil do que encarar o Resistor de 1kΩ, para só então entrar pelo pino do microcontrolador e assim zerar a corrente na base do transistor). Resultado: o transistor BC547 nunca seria cortado com este pull-up aí.

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Tem razão, o pullup é antes do resistor da base, ou ainda sem ele, um ou outro. Não ficou claro isso, pois desenhei o pullup como opção para garantir a condução. Jogando GND direto na base eu corto o transistor.

@heitorlima4127

8 ай бұрын

Desculpe, Rodrigo. Não concordo com seu comentário. Com o circuito desenhado pelo Eloy, o BC547 será cortado, de fato, com o zero V do microcontrolador. Calcule as tensões com calma. São 2 resistências em série, a saber, 100K e 1K. Com 5 V na saída do micro, a tensão da junção , com a base fora do circuito, será de 5,069v , suficiente para fazer o BC 547 conduzir, se ligada à base do BC547.. Com a tensão de 0V na saída do micro, a tensão da junção será de apenas 0,11V, que, se ligado à base do 547, não o fará conduzir. Portanto, diferentemente de seu comentário, o BC 547 será, sim, cortado pela saída de 0V do micro.

@Rodrigo_RDA

8 ай бұрын

@@heitorlima4127 desenhei agora no simulador e de fato o transistor consegue cortar com o 0V do microcontrolador, mesmo com este pull-up de 100k. Mas veja que este pull-up não faz sentido, pois a corrente que passa por ele é 35x menor que a corrente que sai da porta do microcontrolador (ou seja, este pull-up está aí só de enfeite). Se você tentar diminuir o valor deste pull-up (para tentar aumentar a corrente nele e assim poder diminuir a fornecida pelo microcontrolador), aí sim o transistor nunca será cortado.

@heitorlima4127

8 ай бұрын

Olá Rodrigo. Concordo com você. O pull-up nesse circuito não faz o menor sentido, sendo, portanto, desnecessário. Mas não impede que o BC547 seja cortado pelo micro. Abraço. O canal é muito bom!@@Rodrigo_RDA

Parabéns pelo vídeo, Eloy! Há tempos, buscava uma explicação para essa configuração do N-Channel! Falando sobre P-Channel, pergunto: Para você, neste vídeo, o que seria carga alta x carga baixa para o P-Channel? Acima de quantos amperes, seria considerada a carga alta? Ou... Até quantos amperes, seria considerada a carga baixa?

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Obrigado! Depende muito do modelo, mas quase sempre menor que 10A (em média mais comum é até 5A) , quando os similares tipo N vão a 30 ou 40A ou mais.

Querido professor Eloy, pelo que eu entendi, quando o BC547 está saturado, o mosfet está cortado e o capacitor carrega seu lado positivo pela fonte de 12V através do diodo e seu lado negativo através da carga. Se for isso, eu imagino que a resistência da carga precisa ser necessariamente baixa. Estou correto?

@Electrolab-Eletronica

8 ай бұрын

Olá Marcelo! As cargas acionadas por Mosfets em geral têm baixa impedância e alta potência, portanto esse não chega a ser um problema.