本频道预计会在2022年底停止更新,内容将逐步新频道迁移至:工科男孙老师。最新频道地址: / @hellosunlaoshi 欢迎新老朋友订阅。全网同名:工科男孙老师------------------------拆了一个笔记本电脑的充电器以及一个氮化镓充电器看看里面有什么区别。
GaN的優點不是寄生電容,是因為GaN MOSFET打開沒有PN通道!! 另外一個重點也沒講,GaN 開關速率可以到200K以上,比Si MOSFET 快,二次側的電容也可以縮小
200K的方波,高频谐波的功率成分也不小吧? 有大概的数据吗
1MHz也行, 高頻ZVS Totem pole PFC的產品,業界也已經量產了
你从电子学的角度解释了寄生电容对ACDC转换电路的影响。我解释下寄生电容怎么来的,以及为什么氮化镓寄生电容会小,芯片设计类似于PCB分层的,每层的电路都会跟substrate基底形成电容器。所以说寄生电容是跟元器件的面积和所在的层和基底的距离还有每层间填充材料的电介常数有关。硅材料能不能做到更小的寄生电容,也是可以,减小管子的尺寸,那么管子的功耗又会达不到。所以氮化镓的优势从微电子学的角度是,更高功率下管子的所占的面积更小,再加上材料的电介常数优于硅材料同等面积下寄生电容也更小。一般同等大小的氮化镓管子能做到几百瓦,CMOS也就十几瓦
刚想买氮化镓充电器(主要是多口USB的,出行的时候带一个就行)的时候,发现有一些评论说这种充电器比较容易坏,这是为什么?平时买充电器很少担心会坏掉,因为没什么高深的技术含量,几乎也没见见过充电器用一个月就坏的,有的评论甚至说一个月坏掉2个氮化镓充电器,这是材料特性导致的吗? 氮化镓的充电器是不是散热太难导致内部元器件寿命严重缩短?
講解的非常好,非常清楚,寓教於樂。
孙老师的视频做的很精良,条理清楚,由浅入深,感谢像您这样的内容创作者。
重點是75w以下不需PFC, 且頻率高有emi問題,不是這麼簡單啦!
所以剛剛拆解時, 外殼都有厚厚的EMI遮蔽
構造/原理都講解得很清楚~增加了不少知識
理論搭配實體拆解,講得很清楚,感謝您的分享!
非常謝謝孫老師的視頻,令我得益良多,希望孫老師能有多些視頻給我們學習!
喜歡孫老師的講解,不廢話、講重點的同時,難明或者有坑的地方又會展開解釋,非常好的講師,
讲解得非常好,谢谢~
把复杂的问题讲的简单易懂,牛!
講得非常好非常清楚! 謝謝!
謝謝你的科普 受益良多
無意中發現這個頻道,好正👍👍👍
你这个拆解真的很愉快!
深入浅出讲道理!请老师讲一下手机快速充电的原理以及快充对电池的利弊。
up说的通俗易懂,希望越做越好!
謝謝孫老師分享
這個科普很細,講到最基本的原理
感谢孙老师科普模电知识
雖然我不是一個科學家 但這視頻解決了我失眠的困擾 聽起來很不錯對吧
解释得非常好!
老師您好,請問是否能講解一下定電流二極體CRD電路設計呢? 此部分跟以前所學相差甚遠,希望能指教,感謝萬分
孫老師 新年快樂 ^ω^
厉害,请多更新,太棒了~~~~
雖然也是工科男... 聽不太懂但只能給推!@@ 讚啦
長知識了,謝謝
變壓器,需要利用到電磁特性,頻率低,磁粉芯要比較大棵,才能保證磁轉換性效率。頻率越高,磁粉芯可以很細也可以有高效率。舊式50hz變壓器像石頭一樣又大又重,就是因為運作頻率太低。
感谢,终于明白为什么老式电源适配器的变压器绕组和铁芯巨大了。
补足了我的疑惑。
我也是电力电子工程师,孙老师说的很简单易懂
講解的很清楚啊, 謝謝老師
感谢分享~
感謝教學
谢谢知识分享
简单明了没有多余的废话,不错的视频,关注了
有趣,谢谢分享
請問影片下方的進度條怎麼做的?能出一集教學嗎? 謝謝!
自从GaN火起来之后,我就一直很好奇为什么一个新材料的引入就能缩小充电器体积,今天算是初步解惑了~
智商
你才知道?呵呵
@@user-pe6qw2lj2w ??? 我不知道你在呵呵啥?知道得早就很有优越感?你早参透了原理也没见你做个视频发来给大家科普一下呢??? 搞的好像你发明的一样…欠你一个诺贝尔奖呗?mdzz…
@@UCan927 知道了为什么告你 你是什么
@@UCan927 你理这种喷子干啥。。你看看他那弱智的昵称就明白了。兄台,淡定,你还需要在网络上多修炼呀,哈哈。
學到了 感恩
GaN器件工作温度理论上可以很高,因此在结构设计上对散热要求也会降低。
非常喜歡老師的影片,可以請孫老師介紹如何將LED 燈 從220V 供電改為110V 供電嗎
買全電壓的就可以
又被我學到了 感謝老師的教導
牛b 中国需要多点像你这样的人才。
謝謝分享
主要还是单位面积下Rdson更小咯,所以同样的开关电阻,寄生电容更小,而且因为不是同步的AC-DC,其实dead zone的导通电流应该是没有的。。。。
其實在80W以下,用GaN 的mos 效率並不是最好的,而是SJMOS 就可以了,真正讓充電器變小的原因是ZVS的技術,並且能減少功耗
ACF Flyback 這個topology + GaN應該是目前最佳解惹@@
还是有噱头才能卖。要是硅的充电器卖个100多谁会买?MOS用ZVS效率一样非常高也能1M以上开关频率。反而Hard Switching时GaN的优势才明显。
@@johnyang799 Hard switching 要100w以上的產品了吧?噱頭這點是對的,畢竟零售市場要有行銷價值,現在消費者已經認為GaN 的充電器才是最好的
@@ong55663 其实就是骗了一堆人。
聽不很懂 願聞其詳
厉害 啊,虽然没怎么听明白,但是感觉很厉害的样子。哈哈
讚 HARD CORE 好知識
如果能说一下氮化镓管、mos管、大变压器、小变压器的价格差别,进行成本分析比较就更好了。解释了体积,但并没有解释价格。我3年前买的笔记本配的变压器已经比我10年前买的老笔记本变压器小2/3了,氮不氮化镓我觉得完全是个寂寞。
如果,再加上IGBT和MOS一起讲解下PWM电路就更好了
謝謝
thanks!!
講得好詳細呀!!大讚,但是我一句都沒聽懂 😂
me too😅
简明易懂
看了一些高手的回复,我想说的是我觉得这个视频的意义在于简单通俗的让我们这种小白明白一个原理,而不是一堆专业术语变成高手之间的讨论。
你看不懂可以不看啊哈哈哈。专业人士讨论专业人士的,小白可以不参与。
耐用度哪個好?淘寶賣的氮化镓質量希望有出評測
哈哈哈,我就是一个开关电源研发工程师,氮化镓和碳化硅都用很多。。。
受教了
簡單來說就是提高切換頻率就能使用Ae較小的變壓器(體積也較小) 但我認為現在GaN根本就是炒作,一顆MOS賣的價格是同電流Si MOS的好幾倍,加上driver線路也要改,而且GaN對於熱的耐受性比較差(大概90度就死了,Si大概110度還撐得住)
請問,為何切換頻率高,變壓器就能縮小呢?請求指點~
B=(L*i)/(N*Ae) f增加時固定相同設計條件則L可下降, 因此Ae縮小鐵芯縮小, 同時planer transformer才是充電頭縮小的關鍵
孙老师,科普一下超级硅
条理分明 好评
好棒,找了好多文章,終於清楚知道為何可以做的小,但是為何可以充的快呢?能否簡單說明一下
你應該是指手機的部分,主要是充電器瓦數變高了,手機本身的充電電路也要配合改,早期手機附的充電器是 5W、10W,電壓5V,充電電流只有 1A~2A,現在手機PD/QC 充電器可以到 30W 65 W 或更高,充電電壓 提高到 20V,電流也能到 3A 或更高,充電速度當然可以變快,但手機本身的充電電路也要配合,如果新的充電器拿去充舊手機,速度也不能提升多少,因為還是會用 5V 充電
涨知识了
老师,可以评测下dc-atx的模块哪个好吗?
学习了,小小的寄生电容影响这么大!任何产品向极致进化,就是解决这些一个个的“小”问题的过程!
可以讲解一下迷你点焊机么。通常会有4~6颗mos管。对应的电流最高1200~1800A。 (航模电池,汽车启动电源,汽车电瓶等供电;或者2颗[2.7V, 3000F]的大电容供电;另外不能使用开关电源供电)。
原理很简单,就是短路大电流,MOS管用于精确控制放电时间,电源要有足够的放电能力。
提个建议,视频可以用KZread的章节功能,直接在视频下边显示章节太突兀了
赞!
不也是因爲內電阻較低 效率高 發熱小 所以整體可以塞進更小的空間嗎? 大學老師教過....
这个有意思
請問,開關的頻率變高的話,鐵粉芯的磁損不就更大了嗎?因為現實的磁性材料都一定存在磁化、反磁化時的滯後現象。
老师没说新材料的频率有多高呢
讲解的生动形象 深入浅出,刷新了对大学学过的 模拟 数字两本书(康华光/童诗白)的认知。希望继续看到更新视频
他说的里面不太对
不遗余力呀!
GaN 开关频率高可不光是因为寄生电容比MOS管小。 首先,GaN HEMT是通过自换相来完成反向导通,没有类似MOSFET那样的体二极管。没有体二极管就意味着没有二极管的反向恢复,没有Qrr,这就使得GaN HEMT非常适合半桥硬开关。GaN的零反向恢复还可以实现新的高效拓扑结构,如连续型无桥式图腾柱PFC,这是传统硅器件所不能做到的。 其次,没有体二极管也意味着没有体二极管刚导通时的噪声。这样EMI设计变得相对容易,性能也会更好。
2DEG的Mobility高會不會也是一個好處 sheet resistance小
请问大电容C1在这里有泵升变压器一次侧电压的作用吗?
我也喜歡暴力拆解
請問,切換頻率提高之後 emi 的問題怎麼辦?
应该是方波的斜率越大,感生电动势越大,而不是频率越大,感生电动势越大.当然频率大了,不可避免地,方波斜率也要变陡.
終於出來了 上次看到沒多久就刪掉了 一直在等
但是没有讲两种变压器的原理和区别以及为什么高频开关可以使用小体积的变压器
超喜歡我是MPS上班的員工, 現在正在買NVTS股票, 你講的內容都是我愛的甚至我也在公司推廣你的視頻
NVTS的產品未來市場有那麼大嗎?畢竟第三代半導體其實市場不大,而且GaN 的應用在電動車上也比SiC少,GaN 在射頻元件上的應用才是最大的吧,但是Navitas 並沒有這類產品,不知道您的看法是什麼?
@@ong55663 我們主要講的是type-c adaptor的產品關於Navitas這家公司後續看好.目前市場上主要品牌廠都往GaN上面做設計要縮小化尺寸.大系統上車電或是其他應用會是wolfspeed或是TI或是其他家都有產品可以cover.剛好你的影片是做充電器就會看到是Navitas, 他同步SR也主力會用MPS產品提高效率.一年NB shipment大致為200Mu, 可以看到現在用type-c +GaN可能不到10%,所以這個未來有很大淺力成長上去. pure type-c就至少45-55%. 只看NB adaptor的話NVTS目前是是占第一
@@lininray 這部分我知道,只是這個領域的競爭者也很多,PI跟Innoscience也都有推出一樣的產品,英飛凌義法半導體也有相關產品設計,甚至蘋果最新140w的GaN 充電器也是用GaN system的產品,如果公司產品只能用在這上面,未來市場有點侷限,另一點是NVTS的流通股數太多了
现在市面上的全是Navitas的吧
@@ong55663 Navitas方案集成度高价格低廉 就这一个其他方案就很难对抗。GaN在消费市级场的最大意义就是噱头。 Epc什么的也不错但是不是在消费级市场的。
10M錶夠測嗎?
请问,把现有的110V市电交流,变成不超过150V, 不少于100V的直流, 大家有什么推荐吗?要追求转换效率,是按照这个模式直接再次DC转DC,但是输出很高的电压吗? 大部分应用没有这种需求, 所以找不到这种产品!
话延一题; 开关管最大输出功率 与自身功耗比最高物, 应属电动力机车了吧? NYC用可控硅153年!
究竟氮化镓实使几高频? 频率高减少滤波电容值, 但干扰附近电器会更强。 每一视频能否多些数据?
点赞!
我看了5次, 想給5個好評。越簡潔越考功夫。
谢谢你的高度评价
请点那个大拇指奇数次,不要点偶数次。其中的原理可以问孙老师。😄
為什麼開關頻率高了,就能使用輕薄的變壓器 ?
工科男整的像艺术男一样
所以,為了加快開關電流及速度,才會有MOSFET driver
还有一个重要指标,就是导通电阻。
電源大廠台達電的Innergie 65U不用GaN就能做到跟GaN一樣的體機
如果解释得更通俗易懂就更好了,
赞赞赞
coss那个差距不是这样算的,不应该用减法,用除法算的话就会发现氮化镓的coss只有普通mos的15%,这差距还是非常明显的
孙老师你怎么不拆核电站?
你讲了好多……我还是一头雾水,赞是一定的
在b站看过这条视频了
学习
开关频率高,为啥变压器就可以做薄呢?没理解
Пікірлер: 316
GaN的優點不是寄生電容,是因為GaN MOSFET打開沒有PN通道!! 另外一個重點也沒講,GaN 開關速率可以到200K以上,比Si MOSFET 快,二次側的電容也可以縮小
@haoli5779
Жыл бұрын
200K的方波,高频谐波的功率成分也不小吧? 有大概的数据吗
@user-hn5bl8jl3z
Жыл бұрын
1MHz也行, 高頻ZVS Totem pole PFC的產品,業界也已經量產了
你从电子学的角度解释了寄生电容对ACDC转换电路的影响。我解释下寄生电容怎么来的,以及为什么氮化镓寄生电容会小,芯片设计类似于PCB分层的,每层的电路都会跟substrate基底形成电容器。所以说寄生电容是跟元器件的面积和所在的层和基底的距离还有每层间填充材料的电介常数有关。硅材料能不能做到更小的寄生电容,也是可以,减小管子的尺寸,那么管子的功耗又会达不到。所以氮化镓的优势从微电子学的角度是,更高功率下管子的所占的面积更小,再加上材料的电介常数优于硅材料同等面积下寄生电容也更小。一般同等大小的氮化镓管子能做到几百瓦,CMOS也就十几瓦
@samhuangsanjia
Жыл бұрын
刚想买氮化镓充电器(主要是多口USB的,出行的时候带一个就行)的时候,发现有一些评论说这种充电器比较容易坏,这是为什么?平时买充电器很少担心会坏掉,因为没什么高深的技术含量,几乎也没见见过充电器用一个月就坏的,有的评论甚至说一个月坏掉2个氮化镓充电器,这是材料特性导致的吗? 氮化镓的充电器是不是散热太难导致内部元器件寿命严重缩短?
講解的非常好,非常清楚,寓教於樂。
孙老师的视频做的很精良,条理清楚,由浅入深,感谢像您这样的内容创作者。
重點是75w以下不需PFC, 且頻率高有emi問題,不是這麼簡單啦!
@cocoliu2464
Жыл бұрын
所以剛剛拆解時, 外殼都有厚厚的EMI遮蔽
構造/原理都講解得很清楚~增加了不少知識
理論搭配實體拆解,講得很清楚,感謝您的分享!
非常謝謝孫老師的視頻,令我得益良多,希望孫老師能有多些視頻給我們學習!
喜歡孫老師的講解,不廢話、講重點的同時,難明或者有坑的地方又會展開解釋,非常好的講師,
讲解得非常好,谢谢~
把复杂的问题讲的简单易懂,牛!
講得非常好非常清楚! 謝謝!
謝謝你的科普 受益良多
無意中發現這個頻道,好正👍👍👍
你这个拆解真的很愉快!
深入浅出讲道理!请老师讲一下手机快速充电的原理以及快充对电池的利弊。
up说的通俗易懂,希望越做越好!
謝謝孫老師分享
這個科普很細,講到最基本的原理
感谢孙老师科普模电知识
雖然我不是一個科學家 但這視頻解決了我失眠的困擾 聽起來很不錯對吧
解释得非常好!
老師您好,請問是否能講解一下定電流二極體CRD電路設計呢? 此部分跟以前所學相差甚遠,希望能指教,感謝萬分
孫老師 新年快樂 ^ω^
厉害,请多更新,太棒了~~~~
雖然也是工科男... 聽不太懂但只能給推!@@ 讚啦
長知識了,謝謝
變壓器,需要利用到電磁特性,頻率低,磁粉芯要比較大棵,才能保證磁轉換性效率。頻率越高,磁粉芯可以很細也可以有高效率。舊式50hz變壓器像石頭一樣又大又重,就是因為運作頻率太低。
@DecCat
2 жыл бұрын
感谢,终于明白为什么老式电源适配器的变压器绕组和铁芯巨大了。
@lifrank5059
2 жыл бұрын
补足了我的疑惑。
我也是电力电子工程师,孙老师说的很简单易懂
講解的很清楚啊, 謝謝老師
感谢分享~
感謝教學
谢谢知识分享
简单明了没有多余的废话,不错的视频,关注了
有趣,谢谢分享
請問影片下方的進度條怎麼做的?能出一集教學嗎? 謝謝!
自从GaN火起来之后,我就一直很好奇为什么一个新材料的引入就能缩小充电器体积,今天算是初步解惑了~
@holymark_cn
2 жыл бұрын
智商
@user-pe6qw2lj2w
2 жыл бұрын
你才知道?呵呵
@UCan927
2 жыл бұрын
@@user-pe6qw2lj2w ??? 我不知道你在呵呵啥?知道得早就很有优越感?你早参透了原理也没见你做个视频发来给大家科普一下呢??? 搞的好像你发明的一样…欠你一个诺贝尔奖呗?mdzz…
@user-pe6qw2lj2w
2 жыл бұрын
@@UCan927 知道了为什么告你 你是什么
@yz1_2_3
2 жыл бұрын
@@UCan927 你理这种喷子干啥。。你看看他那弱智的昵称就明白了。兄台,淡定,你还需要在网络上多修炼呀,哈哈。
學到了 感恩
GaN器件工作温度理论上可以很高,因此在结构设计上对散热要求也会降低。
非常喜歡老師的影片,可以請孫老師介紹如何將LED 燈 從220V 供電改為110V 供電嗎
@jackwon860
2 жыл бұрын
買全電壓的就可以
又被我學到了 感謝老師的教導
牛b 中国需要多点像你这样的人才。
謝謝分享
主要还是单位面积下Rdson更小咯,所以同样的开关电阻,寄生电容更小,而且因为不是同步的AC-DC,其实dead zone的导通电流应该是没有的。。。。
其實在80W以下,用GaN 的mos 效率並不是最好的,而是SJMOS 就可以了,真正讓充電器變小的原因是ZVS的技術,並且能減少功耗
@DDjadure
2 жыл бұрын
ACF Flyback 這個topology + GaN應該是目前最佳解惹@@
@johnyang799
2 жыл бұрын
还是有噱头才能卖。要是硅的充电器卖个100多谁会买?MOS用ZVS效率一样非常高也能1M以上开关频率。反而Hard Switching时GaN的优势才明显。
@ong55663
2 жыл бұрын
@@johnyang799 Hard switching 要100w以上的產品了吧?噱頭這點是對的,畢竟零售市場要有行銷價值,現在消費者已經認為GaN 的充電器才是最好的
@GardeningZ
2 жыл бұрын
@@ong55663 其实就是骗了一堆人。
@usercl6
2 жыл бұрын
聽不很懂 願聞其詳
厉害 啊,虽然没怎么听明白,但是感觉很厉害的样子。哈哈
讚 HARD CORE 好知識
如果能说一下氮化镓管、mos管、大变压器、小变压器的价格差别,进行成本分析比较就更好了。解释了体积,但并没有解释价格。我3年前买的笔记本配的变压器已经比我10年前买的老笔记本变压器小2/3了,氮不氮化镓我觉得完全是个寂寞。
如果,再加上IGBT和MOS一起讲解下PWM电路就更好了
謝謝
thanks!!
講得好詳細呀!!大讚,但是我一句都沒聽懂 😂
@mmxman1506
Жыл бұрын
me too😅
简明易懂
看了一些高手的回复,我想说的是我觉得这个视频的意义在于简单通俗的让我们这种小白明白一个原理,而不是一堆专业术语变成高手之间的讨论。
@Daniel-ho7ge
2 жыл бұрын
你看不懂可以不看啊哈哈哈。专业人士讨论专业人士的,小白可以不参与。
耐用度哪個好?淘寶賣的氮化镓質量希望有出評測
哈哈哈,我就是一个开关电源研发工程师,氮化镓和碳化硅都用很多。。。
受教了
簡單來說就是提高切換頻率就能使用Ae較小的變壓器(體積也較小) 但我認為現在GaN根本就是炒作,一顆MOS賣的價格是同電流Si MOS的好幾倍,加上driver線路也要改,而且GaN對於熱的耐受性比較差(大概90度就死了,Si大概110度還撐得住)
@chuangp.s3236
Жыл бұрын
請問,為何切換頻率高,變壓器就能縮小呢?請求指點~
@michaelchen2156
Жыл бұрын
B=(L*i)/(N*Ae) f增加時固定相同設計條件則L可下降, 因此Ae縮小鐵芯縮小, 同時planer transformer才是充電頭縮小的關鍵
孙老师,科普一下超级硅
条理分明 好评
好棒,找了好多文章,終於清楚知道為何可以做的小,但是為何可以充的快呢?能否簡單說明一下
@lineardanny6602
Жыл бұрын
你應該是指手機的部分,主要是充電器瓦數變高了,手機本身的充電電路也要配合改,早期手機附的充電器是 5W、10W,電壓5V,充電電流只有 1A~2A,現在手機PD/QC 充電器可以到 30W 65 W 或更高,充電電壓 提高到 20V,電流也能到 3A 或更高,充電速度當然可以變快,但手機本身的充電電路也要配合,如果新的充電器拿去充舊手機,速度也不能提升多少,因為還是會用 5V 充電
涨知识了
老师,可以评测下dc-atx的模块哪个好吗?
学习了,小小的寄生电容影响这么大!任何产品向极致进化,就是解决这些一个个的“小”问题的过程!
可以讲解一下迷你点焊机么。通常会有4~6颗mos管。对应的电流最高1200~1800A。 (航模电池,汽车启动电源,汽车电瓶等供电;或者2颗[2.7V, 3000F]的大电容供电;另外不能使用开关电源供电)。
@yudogcome5901
2 жыл бұрын
原理很简单,就是短路大电流,MOS管用于精确控制放电时间,电源要有足够的放电能力。
提个建议,视频可以用KZread的章节功能,直接在视频下边显示章节太突兀了
赞!
不也是因爲內電阻較低 效率高 發熱小 所以整體可以塞進更小的空間嗎? 大學老師教過....
这个有意思
請問,開關的頻率變高的話,鐵粉芯的磁損不就更大了嗎?因為現實的磁性材料都一定存在磁化、反磁化時的滯後現象。
老师没说新材料的频率有多高呢
讲解的生动形象 深入浅出,刷新了对大学学过的 模拟 数字两本书(康华光/童诗白)的认知。希望继续看到更新视频
@hollyme6996
Жыл бұрын
他说的里面不太对
不遗余力呀!
GaN 开关频率高可不光是因为寄生电容比MOS管小。 首先,GaN HEMT是通过自换相来完成反向导通,没有类似MOSFET那样的体二极管。没有体二极管就意味着没有二极管的反向恢复,没有Qrr,这就使得GaN HEMT非常适合半桥硬开关。GaN的零反向恢复还可以实现新的高效拓扑结构,如连续型无桥式图腾柱PFC,这是传统硅器件所不能做到的。 其次,没有体二极管也意味着没有体二极管刚导通时的噪声。这样EMI设计变得相对容易,性能也会更好。
@ivjjfd
Жыл бұрын
2DEG的Mobility高會不會也是一個好處 sheet resistance小
请问大电容C1在这里有泵升变压器一次侧电压的作用吗?
我也喜歡暴力拆解
請問,切換頻率提高之後 emi 的問題怎麼辦?
应该是方波的斜率越大,感生电动势越大,而不是频率越大,感生电动势越大.当然频率大了,不可避免地,方波斜率也要变陡.
終於出來了 上次看到沒多久就刪掉了 一直在等
但是没有讲两种变压器的原理和区别以及为什么高频开关可以使用小体积的变压器
超喜歡我是MPS上班的員工, 現在正在買NVTS股票, 你講的內容都是我愛的甚至我也在公司推廣你的視頻
@ong55663
2 жыл бұрын
NVTS的產品未來市場有那麼大嗎?畢竟第三代半導體其實市場不大,而且GaN 的應用在電動車上也比SiC少,GaN 在射頻元件上的應用才是最大的吧,但是Navitas 並沒有這類產品,不知道您的看法是什麼?
@lininray
2 жыл бұрын
@@ong55663 我們主要講的是type-c adaptor的產品關於Navitas這家公司後續看好.目前市場上主要品牌廠都往GaN上面做設計要縮小化尺寸.大系統上車電或是其他應用會是wolfspeed或是TI或是其他家都有產品可以cover.剛好你的影片是做充電器就會看到是Navitas, 他同步SR也主力會用MPS產品提高效率.一年NB shipment大致為200Mu, 可以看到現在用type-c +GaN可能不到10%,所以這個未來有很大淺力成長上去. pure type-c就至少45-55%. 只看NB adaptor的話NVTS目前是是占第一
@ong55663
2 жыл бұрын
@@lininray 這部分我知道,只是這個領域的競爭者也很多,PI跟Innoscience也都有推出一樣的產品,英飛凌義法半導體也有相關產品設計,甚至蘋果最新140w的GaN 充電器也是用GaN system的產品,如果公司產品只能用在這上面,未來市場有點侷限,另一點是NVTS的流通股數太多了
@johnyang799
2 жыл бұрын
现在市面上的全是Navitas的吧
@johnyang799
2 жыл бұрын
@@ong55663 Navitas方案集成度高价格低廉 就这一个其他方案就很难对抗。GaN在消费市级场的最大意义就是噱头。 Epc什么的也不错但是不是在消费级市场的。
10M錶夠測嗎?
请问,把现有的110V市电交流,变成不超过150V, 不少于100V的直流, 大家有什么推荐吗?要追求转换效率,是按照这个模式直接再次DC转DC,但是输出很高的电压吗? 大部分应用没有这种需求, 所以找不到这种产品!
话延一题; 开关管最大输出功率 与自身功耗比最高物, 应属电动力机车了吧? NYC用可控硅153年!
究竟氮化镓实使几高频? 频率高减少滤波电容值, 但干扰附近电器会更强。 每一视频能否多些数据?
点赞!
我看了5次, 想給5個好評。越簡潔越考功夫。
@user-bq3jx2uq8n
2 жыл бұрын
谢谢你的高度评价
@user-lg5vp7sl5d
2 жыл бұрын
请点那个大拇指奇数次,不要点偶数次。其中的原理可以问孙老师。😄
為什麼開關頻率高了,就能使用輕薄的變壓器 ?
工科男整的像艺术男一样
所以,為了加快開關電流及速度,才會有MOSFET driver
还有一个重要指标,就是导通电阻。
電源大廠台達電的Innergie 65U不用GaN就能做到跟GaN一樣的體機
如果解释得更通俗易懂就更好了,
赞赞赞
coss那个差距不是这样算的,不应该用减法,用除法算的话就会发现氮化镓的coss只有普通mos的15%,这差距还是非常明显的
孙老师你怎么不拆核电站?
你讲了好多……我还是一头雾水,赞是一定的
在b站看过这条视频了
学习
开关频率高,为啥变压器就可以做薄呢?没理解